Name: Vishay Siliconix SIS902DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS902DN-T1-GE3
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SIS902DN-T1-GE3

Artikelnummer:

SIS902DN-T1-GE3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8

Datenblätte:

1.SIS902DN-T1-GE3.pdf ···: 2D -Zeichnungen
PCN- SIL-0722014 10/Jun/2014.pdf SIS902DN.pdf

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Spezifikationen
Einkaufshandbuch
Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SIS902DN-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SIS902DN-T1-GE3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	PowerPAK® 1212-8 Dual
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	186mOhm @ 3A, 10V
Leistung - max	15.4W
Verpackung / Gehäuse	PowerPAK® 1212-8 Dual
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	175pF @ 38V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6nC @ 10V
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	75V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4A
Konfiguration	2 N-Channel (Dual)
Grundproduktnummer	SIS902
SIS902DN-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English]	SIS902DN-T1-GE3 PDF - EN.pdf

Rückgabe -Richtlinien

Die Rückgaben müssen innerhalb von 60 Tagen nach dem Datum der Rechnung angefordert werden und enthalten:
- Originalrechnungsnummer
- Foto der Teile
- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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